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101.
102.
103.
研究了曲线族的模 ,得到了 :1 )设Γ是 Rn 中连结不相交的曲线α1 与α2 的曲线族 ,若d(α1 ,α2 )≥ r,minj=1 ,2 dia(αj)≤ s,则 M(Γ )≤ 1 +srnΩn. 2 )设Γ是连结 Rn 中的闭连集 F1 与 F2 的曲线族 ,若minj=1 ,2 dia( Fj)≥ ad( F1 ,F2 ) ,则 M( Γ)≥ C( n,a) . 3 )设 R=R( C,C0 )是 R2 中的环 ,D表示 R2 \C中含 R的一个分支 ,α,β是 C上两条不相交的子曲线 .若 ΓR,ΓD 分别是 R与 D中连结 α和 β的曲线族 ,则 M( ΓR)≤ M( ΓD)≤φ( mod R) M(ΓR) 相似文献
104.
105.
HL—1装置的低q放电实验 总被引:3,自引:3,他引:0
装置获得的最低qL值是衡最托卡马克磁流体不稳定性的控制水平的重要品质参数.通过精细调节补充送气和电流上升率的方法控制电流密度分布,使用钛吸气方法控制边缘等离子体参数,HL-1装置获得了最低qL值为1.8的稳定等离子体。实验结果表明,若电流上升率与密度上升率之比为(23—40)×10~(-19)kA·m~3的范围内,最利于获得低MHD增长率的稳定放电。预计这与中心q(0)<1峰化的电流密度分布有关。 相似文献
106.
本文对Ge/An,Ge/Ag,双层膜和Ge-An,Ge-Ag合金膜的退火过程进行了透射电子显微镜观测,对Ge/多晶Au(或Ag)还进行了加热过程的原位观测。观测表明,多晶Au和单晶Au膜的存在使非晶Ge的晶化温度Tc的下降显著不同,可由晶界三叉点等处为非晶Ge的有利形核位置来解释,双层膜的缩聚区中由于局域优先晶化的影响,不仅Tc(=100℃)比非缩聚区中(Tc=150℃)低,而且形成直径为1—2μm的Ge大晶粒,而Ge/多晶Ag和Ge/单晶Ag膜的Tc均约为280℃,合金膜中金属含量较低时(CAu<17at%,CAg<18at%),Tc高于相应的Ge/多晶Au(Ag)膜;金属含量较高时,Tc低于Ge/多晶Au(Ag)膜。这说明过饱和金属原子的存在使得非晶Ge的晶化势垒大大降低。
关键词: 相似文献
107.
采用金属有机分解法在p型Si衬底上制备了SiTiO3(STO)薄膜.研究了STO薄膜金属-绝缘体-半导体(MIS)结构的介电和界面特性.结果表明,STO薄膜显示出优异的介电性能,在10kHz处的介电常数约为105,损耗低于0.01,这来源于多晶结构和良好的结晶性;MIS结构中的固定电荷密度Nf和界面态密度Dit分别约为1.5×1012cm-2和(1.4-3.5)×1012 cm-2 eV-1,这主要与Si/STO界面处形成的低介电常数界面层有关. 相似文献
108.
109.
Ling Tian TANG Yi WANG Xin Qi LIU Shao Wen HU Tai Wei CHU Xiang Yun WANG* College of Chemistry Molecular Engineering Peking University Beijing 《中国化学快报》2005,16(3):345-348
Benzimidazole compounds have attracted a renewed interest recently owing to theirpotential applications in high-performance composite materials, electronic chemicals,photosensitive materials, and their special potentials in biological and/or medicinalapplication1,2. Typically, aromatic compounds with near planar structures and contain-ing hydrogen-donor groups or groups, which are capable of being protonated, havespecial interactions with DNA via intercalation, hydrogen-bonding, and so on3.Me… 相似文献
110.